ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
Історія запитів
ваша історія пошуку порожня
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліIGBT транзистори і модулі
Код товару:
053682

Транзистор SGT50T65SDM1P7

Транзистор SGT50T65SDM1P7
Корпус: TO247
Виробник: SILAN
Товар в наявності
105,80 грн × = 105,80 грн
від 1 шт. : 105,80 грн
від 10 шт. : 97,83 грн ( -7,5%)
від 30 шт. : 89,90 грн ( -15,0%)

Поточні залишки: 90 шт.

Схожі товари


Технічні характеристики

Виробник SILAN
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема з'єднання Одиночний
Макс. напруга колектор-емітер 650 V
Напруга затвор-емітер ±20 V
Макс. струм колектора (25°C) 100 А
Макс. струм колектора (100°C) 50 А
Макс. постійний струм діода (25°C) 100 А
Макс. постійний струм діода (100°C) 50 А
Час відновлення діода (25°C/tmax) 37.5 нс (typ)
Потужність розсіювання при 25°C 416 Вт
Тип пакування Туба
Стандартне пакування 30 шт

Технічна документація

Зображення товару

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown